ایجاد تماس اهمی ساختار Ni/Cu به روش الکتروشیمیایی برروی زیر لایه های پلی کریستال سیلیکون مورداستفاده در سلول های خورشیدی

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان تماس اهمی برروی بس بلور سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی و بااستفاده از دستگاه ماوراء صوت لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. نیکل بااستفاده از حمام وات برروی زیرلایة n+-Si در زمان های 10، 20 و 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و تماس لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی برروی لایة نیکل انجام شده است. آنالیزهای XRD، SEM و EDX برای بررسی ساختار بلوری، ساختار سطحی و عناصر تشکیل دهندة این لایه ها انجام شده و باتوجه به ناهمواری زیاد سطح زیرلایة پلی کریستال سیلیکون، درحین لایه نشانی از دستگاه ماوراء صوت برای ایجاد تماس های اهمی با چسبندگی بسیار خوب و کیفیت بالا استفاده شده است. پس از الگودهی نقاب موردنظر برای اندازه گیری مقاومت تماس از روش مدل خط انتقال (TLM) Transmission Line Model استفاده شده و مقاومت ویژة تماس برابر Ωcm25-10�2/2 به دست آمده است که مقاومت تماس مناسبی برای کاربرد در سلول های خورشیدی پلی کریستال� سیلیکون می باشد.